Transistores de efecto de campo a metal y óxido /
By: Richman, Paul.
Contributor(s): Packmann, Emilio N. (traducción).
Material type: TextPublisher: Buenos Aires : Ed. Hispano Americana, 1973Description: 142 páginas ; Ilustraciones, 24 cm.Subject(s): Transistores de efecto de campo | TecnologíaDDC classification: 621.3815 /
Contents:
Contenido: Principios físicos básicos del efecto de campo -- La teoría del funcionamiento del transistor a semiconductor de metal y oxido por efecto de campo...
Item type | Current location | Call number | Vol info | Status | Date due | Barcode |
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Libros-BMC | Sala Ciencias Book Cart | 621.3815 / R54 (Browse shelf) | 048088 | Available | SC0000002034 |
Contenido: Principios físicos básicos del efecto de campo -- La teoría del funcionamiento del transistor a semiconductor de metal y oxido por efecto de campo...
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